教員紹介

教員紹介

教員詳細情報

検索結果に戻る  印刷する

氏名 竹下 達也
かな たけした たつや(TAKESHITA TATSUYA)
所属 理工学部 電気工学科,工学部 電気情報工学科
職名 教授
学位 博士(工学) 
ホーム
ページ
 
竹下 達也

専攻分野・研究テーマ

専攻分野
電子・電気材料工学、 電子デバイス・電子機器、 光通信デバイス、薄膜トランジスタ、信頼性
研究テーマ
デバイスの高性能化に関する研究, 光励起電流法を用いたデバイスの劣化に関する研究

担当科目

光通信システム, 基礎ゼミナール, 工学的センスの基礎, 電子回路Ⅰ, 電子回路Ⅱ, 電気情報工学基礎, 電気情報工学実験Ⅱ, 電気情報工学演習, 光通信システム, 光通信工学特論, 半導体デバイス, 基礎ゼミナール, 電子回路Ⅰ, 電子回路Ⅱ, 電気情報工学実験Ⅱ, 電気情報工学演習, 電気計測特論, 光通信システム, 半導体デバイス, 卒業研究, 基礎ゼミナール, 工学的センスの基礎, 電子回路Ⅰ, 電子回路Ⅱ, 電気情報工学基礎, 電気情報工学実験Ⅱ, 電気情報工学演習, 光通信工学特論, 卒業研究, 基礎ゼミナール, 工学的センスの基礎, 通信システム工学Ⅱ, 電子デバイス工学Ⅰ, 電子回路Ⅰ, 電子回路Ⅱ, 電気情報工学基礎, 電気情報工学実験Ⅱ, 電気情報工学演習, 電気情報技術特別演習Ⅰ, 電気情報技術特別演習Ⅱ, 光通信工学特論, 卒業研究, 基礎ゼミナール, 工学的センスの基礎, 通信システム実験, 通信システム工学Ⅱ, 電子デバイス工学Ⅰ, 電子回路Ⅰ, 電子回路Ⅱ, 電気情報工学実験, 電気情報工学演習, 電気情報技術特別演習Ⅰ, 電気情報技術特別演習Ⅱ

学生諸君へのメッセージ

学生生活を大いに楽しんでください。そして、やりたいことを見つけることができれば、充実した学生生活を送ることができると思います。最初は苦しいと思いますが、我慢して続けてください。いづれ楽しくなる時期が必ずやってきます。それから、新しいことを経験して下さい。若い時期の経験はその後の人生に影響を与えます。いろいろ挑戦してみて下さい。

学歴

1983年3月
鹿児島大学工学部電気工学科卒業
1985年3月
鹿児島大学大学院工学研究科電子工学専攻修了
1997年3月
九州大学大学院システム情報科学研究科電子デバイス工学専攻修了

研究業績

 著書

  • Handbook of Reliability and Materials Issues of Semiconductor Optical and Electrical Devices 共著 2013年9月 Springer出版 O. Ueda, M. Fukuda, R. W. Herrick, T. Takeshita, A. K. Chin, R. Bertaska, R. W. Herrick, S. Tomiya, P. Perlin, K. Maeda, and Y. Shinozuka 55-85

 論文

  • Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs(Refereed Papers) 共著 2016年3月8日 Japanese Journal of Applied Physics(55巻04ER14号) Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, and Tatsuya Takeshita 1-6
  • Interior degradation analysis of distributed feedback laser using optical-beam-induced current(Refereed Papers) 共著 2014年12月 IEEE Trans. Device Mater. Rel.(14巻4号) ◎T. Takeshita, K. Oda, and H. Mawatari 1074-1079
  • Long-term degradation behavior of 2.3-μm wavelength highly strained InAs/InP MQW-DFB lasers with p-/n-InP buried heterostructure(Refereed Papers) 共著 2012年4月 IEEE Trans. Electron Devices(59巻4号) T. Takeshita, T. Sato, M. Mitsuhara, R. Yoshimura and H. Ishii 1056-1062
  • Analysis of main degradation in lasers with p-/n-type InP buried layers using OBIC technique(Refereed Papers) 共著 2012年3月 IEEE Trans. Device Mater. Rel.(12巻1号) T. Takeshita and H. Ishii 37-43
  • Failure analysis using optical evaluation technique (OBIC) of LDs for fiber optical communication(Refereed Papers) 共著 2010年6月 Mater. Res. Soc. Symp. Proc.(1195巻) T. Takeshita and H. Oohashi 15-26
  • Degradation analysis of InP buried heterostructure layers in lasers using optical beam induced current technique(Refereed Papers) 共著 2010年3月 IEEE Trans. Device Mater. Rel.(10巻1号) T. Takeshita, T. Sato, M. Mitsuhara, Y. Kondo and H. Oohashi 142-147
  • Reliable 2.3-μm wavelength highly strained InAs/InP MQW-DFB lasers with p-/n-InP buried heterostructure(Refereed Papers) 共著 2009年7月 IEEE Photon. Technol. Lett.(21巻13号) T. Takeshita, T. Sato, M. Mitsuhara, Y. Kondo and H. Oohashi 896-898
  • Highly stable 1.3 μm wavelength lasers with p- and n-InP buried heterostructures(Refereed Papers) 共著 2008年9月 IEEE Trans. Device Mater. Rel.(8巻3号) T. Takeshita, T. Ito, M. Sugo and K. Kato 576-581
  • Optical-beam-induce current analysis of wear-out degradation in high-reliability Fabry-Perot diodes for access networks(Refereed Papers) 共著 2008年6月 J. Jpn. Appl. Phys.(47巻6号) T. Ito, T. Takeshita, M. Sugo, T. Kurosaki, Y. Akatsu and K. Kato 4523-4526

 学会関係

  • 低温における半導体レーザの挙動 単独 2013年9月23日 第21回 電子情報通信学会九州支部 学生会講演会 C-4(電子情報通信学会九州支部)
  • 光励起電流法を用いた半導体レーザの劣化解析 共同 2011年9月 2011年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、CI-1-2、pp.SS-3~4 竹下達也、石井啓之
  • OBIC法を用いたp-/n-InP埋込み構造FPレーザの第一段劣化の解析 単独 2010年9月 2010年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C-4-10、p.200
  • ガスセンシング用2μm波長帯半導体レーザ 共同 2009年9月 2009年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、CS-4-2、pp.S-46~47 満原学、佐藤具就、竹下達也、田所貴志
  • InAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析 共同 2009年9月 2009年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会、C-4-18、p.256 竹下達也、佐藤具就、満原学、近藤康洋、大橋弘美
  • 2.3-μm波長高歪InAs/InP MQW-DFBレーザの長期安定動作 共同 2009年3月 2009年電子情報通信学会総合大会、C-4-13、p.261 竹下達也、佐藤具就、満原学、近藤康洋、大橋弘美
  • 2.1-μm波長DFBレーザの長期安定動作の解析 共同 2008年3月 2008年電子情報通信学会総合大会、C-4-31、p.314 竹下達也、佐藤具就、満原学、近藤康洋、須郷満

 国際会議関係

  • Special Features in Stress Degradation of SiC-MOSFETs Observed in I-V Characteristics 共同 2015年9月29日 2015 International Conference on Solid State Devises and Materials(The Japan Society of Applied Physics) Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, Tatsuya Takeshita
  • Failure analysis using optical evaluation technique (OBIC) of LDs for fiber optical communication 共同 2009年11月 The 2009 Materials Research Society (MRS) fall meeting, MRS Symposium B: Reliability and Materials Issues of Semiconductor Optical and Electrical Devices, and Materials (MRS, Boston, MA, 2009), B1.2 T. Takeshita and H. Oohashi
  • 2.33-µm wavelength InAs/InGaAs MQW DFB lasers grown by MOVPE 共同 2007年10月 The 20th Annual Meeting of the IEEE Lasers and Electro-Optics Society (IEEE, Lake Buena Vista, Florida, 2007), ThB1 T. Sato, M. Mitsuhara, N. Nunoya, K. Kasaya, F. Kano, T. Takeshita and Y. Kondo

検索結果に戻る  印刷する

ページの先頭へ