教員紹介

村上 英一

教員詳細

村上 英一
教授
村上 英一 MURAKAMI EIICHI
所属 理工学部 電気工学科
学位 博士(工学)
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専攻分野・研究テーマ

  • 専攻分野

    電子デバイス・電子機器、 電子・電気材料工学、 電力工学・電力変換・電気機器

  • 研究テーマ

    SiC-MOSFETの信頼性とパワー回路応用に関する研究

担当科目

パワーデバイス工学, 電子計測, 電気計測, 電気基礎実験Ⅰ, 電気工学導入演習

学生のみなさんへのメッセージ

約30年間、総合電機の研究所・半導体メーカーで半導体材料・デバイスの研究開発を担当しました。独自フラッシュメモリを混載した自動車用マイコンのプロジェクトでは、世界No.1に貢献しました。この経験をもとに、現在、省エネに期待されるSiC(炭化ケイ素)トランジスタを電気自動車や再生可能エネルギー分野で実用化するための信頼性やデバイスモデルの研究を進めています。九州には半導体や製造装置の工場が多くあり、皆さんの就職先としても興味を持ってもらえるように授業でもお話したいと思います。

学歴

1981年3月 早稲田大学理工学部応用物理学科卒業
1983年3月 早稲田大学大学院理工学研究科物理学及び応用物理学博士前期課程修了

研究業績

著書

論文

  • Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs Under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V(Refereed Papers) 共著 2018年6月5日 Materials Science Forum(924巻) E. Murakami, T. Furuichi, T. Takeshita, and K. Oda 711-714
  • Interior and Surface Degradation Analysis of Multicrystalline Si Solar Cell Module Using Laser-Beam-Induced Current Technique(Refereed Papers) 共著 2018年3月 IEEE Transactions on Device and Materials Reliability(18巻1号) T. Takeshita, S. Shiokawa, K. Oda, and E. Murakami 5-11
  • Positive bias temperature instability of SiC-MOSFETs induced by gate-switching operation(Refereed Papers) 共著 2017年3月15日 Japanese Journal of Applied Physics(56巻) Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, and Kazuhiro Oda 04CR11- 1-6
  • I-V, C-V法を用いたSiC-MOSFET Fowler-Nordheimストレス劣化の解析 共著 2016年3月 九州産業大学 総合機器センター研究報告 第19号 2015 村上英一、古市貴大
  • Special features of Fowler-Nordheim stress degradation of SiC-MOSFETs(Refereed Papers) 共著 2016年3月8日 Japanese Journal of Applied Physics(55巻) Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, and Tatsuya Takeshita 04ER14- 1-6
  • A Coarse-Graining Approach to Rate Equations of the Composite AC-NBTI Model(Refereed Papers) 共著 2015年10月6日 IEEE Transactions on Electron Devices(62巻11号) Eiichi Murakami, Hideki Aono, and Makoto Ogasawara 3581-3587
  • Comprehensive TDDB lifetime prediction methodology for intrinsic and extrinsic failures in Cu interconnect dielectrics(Refereed Papers) 共著 2013年6月 Microelectronic Engineering(106巻) N. Suzumura, M. Ogasawara, K. makabe, T. Kamoshima, T. Ouchi, T. Furusawa, and E. Murakami 200-204
  • Modeling of NBTI saturation effect and its impact on electric field dependence of the lifetime(Refereed Papers) 共著 2005年 Microelectronics Reliability(45巻) H. Aono, et al. 1109-1114
  • Effect of nitrogen at SiO2/Si interface on reliability issues-negative-bias-temperature instability and Fowler-Nordheim-stress degradation(Refereed Papers) 共著 2002年 Applied Physics Letters(81巻23号) K. Kushida-Abdelghafar, et al. 4362-4364
  • Gate Length Scalability of n-MOSFET's Down to 30nm: Comparison Between LDD and Non-LDD Structures(Refereed Papers) 共著 2000年 IEEE Transactions on Electron Devices(47巻4号) E. Murakami, et al. 835-840
  • Selective adsorption of HBO2 and Sb on a Si surface partially covered with ultrathin oxide(Refereed Papers) 共著 1994年 Journal of Applied Physics(76巻) E. Murakami, et al. 563-568
  • Fabrication of a Strain-Controlled SiGe/Ge MODFET With Ultrahigh Hole Mobility(Refereed Papers) 共著 1994年 IEEE Transactions on Electron Devices(1994巻5号) E. Murakami, et al. 857-861
  • Elimination of misfit dislocations in Si1-xGex Heterostructures by limited-area molecular-beam epitaxial growth(Refereed Papers) 共著 1992年 Journal of Applied Physics(71巻) A. Nishida, et al. 5913-5917
  • Seed shape dependence of Si solid phase epitaxy: Preferential facet growth(Refereed Papers) 共著 1988年 Journal of Applied Physics(63巻) E. Murakami, et al. 4975-4978

学会関係

  • SiC-MOSFETの温度依存(-60-200℃)ドレイン電流モデル 共同 2019年3月10日 第66回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 鈴木光明、高橋陽平、〇村上英一
  • SiC-MOSFETゲートスイッチング動作時の信頼性向上効果 共同 2019年3月10日 第66回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 福永玲依、斎藤兼三、新町絋司、井上裕稀、大串直輝、〇村上英一
  • SiC-MOSFETのPBTストレス後回復の温度依存性 共同 2018年3月20日 第65回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 秋好徹、原田優介、福田竜也、〇村上英一
  • FNストレスによるSiC-MOSFETゲート電流の特異な挙動 共同 2017年3月17日 第64回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 古市貴大、三原佳樹、枡口和樹、〇村上英一
  • SiC-MOSFETのスイッチング動作による劣化(AC-PBTI) 共同 2016年3月20日 第63回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 古市貴大、交易場良輔、靏爽稀、村上英一
  • SiC-MOSFETのSPICE用ドレイン電流モデル 共同 2016年3月20日 第63回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 鶴留亮太、山崎武、前川凌雅、濱雄介、村上英一
  • I-V特性から見たSiC-MOSFETストレス劣化の特徴 共同 2015年3月13日 第62回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 村上英一、清水宥喜、米村望努、原陽平
  • 界面トラップによるクーロン散乱を取り入れたSiC-MOSFETのキャリア移動度モデル 共同 2014年3月18日 第61回応用物理学会春季学術講演会(応用物理学会) 野口弘樹、園田優、村上英一

国際会議関係

  • Suppression of PBTI of SiC-MOSFETs under 100 kHz Gate-Switching Operation by Using a Gate Off-Voltage of -5 V 共同 2017年9月19日 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2017(Materials Reserch Society) Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, Kazuhiro Oda
  • Positive Bias Temperature Instability of SiC-MOSFETs Induced by Switching Operation (AC-PBTI) 共同 2016年9月27日 2016 International Conference on Solid States Devices and Materials(The Japan Society of Applied Physics) Eiichi Murakami, Takahiro Furuichi, Tatsuya Takeshita, and Kazuhiro Oda
  • Special Features in Stress Degradation of SiC-MOSFETs Observed in I-V Characteristics 共同 2015年9月29日 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials(The Japan Society of Applied Physics) Eiichi Murakami, Kazuhiro Oda, and Tatsuya Takeshita
  • A STUDY of SRAM NBTI BY OTF MEASUREMENT 共同 2008年 IEEE International Reliability Physics Symposium 2008(IEEE) H. Aono, et al.
  • A Comprehensive Study of FN Degradation for Driver MOSFETs in Nonvolatile Memory Circuit 共同 2006年 IEEE International Reliability Physics Symposium 2006(IEEE) H. Aono, et al.
  • Impact of Low-Standby-Power Device Design on Hot Carrier Reliability 共同 2001年 Symposium on VLSI Technology 2001(IEEE) E. Murakami, et al.
  • δ-doped source/drain 0.1-um n-MOSFETs with extremely shallow junctions 共同 1996年 International Electron Devices Meeting 1996(IEEE) E. Murakami, et al.
  • ULTRA HIGH HOLE MOBILITY IN STRAIN-CONTROLLED Si-Ge MODULATION-DOPED FET 共同 1990年 International Electron Devices Meeting 1990(IEEE) E. Murakami, et al.

特許関係

  • Semiconductor integrated circuit device 共同 2016年7月12日 US Patent No.9391606 N. Fukuo, H. Aono, and E. Murakami

その他

  • 修士学位論文『SiC-MOSFETのドレイン電流モデルとパワー回路応用に関する研究』 単独 2017年2月 鶴留亮太
  • 修士学位論文『SiCトランジスタのMOS構造信頼性に関する研究』 単独 2017年2月 古市貴大
  • 学位論文(早稲田大学)『MBE技術を用いたSi素子高速化のための結晶成長・ドーピングプロセスの研究』 単独 1995年3月 村上英一

学会等および社会における主な活動

  • 応用物理学会 応用物理学会誌 編集委員 1997年~1998年
  • IEEE Electron Devices Society International Electron Devices Meeting(CMOS and Interconnect Reliability) 論文委員 2004年~2005年